2020年5月，老美为了扼杀我国民族企业华为，强行修改半导体行业规则，禁止使用美技术达到一定比例的企业，在芯片领域与华为合作，切断华为的芯片来源。

老美“芯片禁令”的****，瞬间将华为逼入一个“无芯可用”的尴尬处境，手机等业务的发展陷入困境，市场份额大跌，苹果”被迫“成为最大的赢家。面对困境，华为虽然没有妥协，但余承东也发出了悲鸣，让无数国人痛心不已。

华为灵魂人物任正非在华为军团成立大会上明确表示：和平是打出来的，要用流血牺牲，打出一个让所有人都不敢欺负我们的和平环境！正如任正非所说，中企若想摆脱被人鱼肉的命运，就必须不怕牺牲，加大科研投入，掌握核心技术，拥有行业话语权，降低对进口技术的依赖。

华为芯片事件发生后，”中国芯“的发展成为了国人关注的焦点，期待中企能够早日用上”中国芯“，彻底打破以老美为首的西方国家的技术封锁，实现国家的伟大复兴。

为了早日实现芯片的自给自足，国家斥巨资成立了”芯片大学“、”东方芯港“，并且****了半导体相关企业十年免征税等优惠扶持政策，培育”向上捅破天，向下扎下根“的自主化土壤。

由于历史原因，我国进入半导体的时间较晚，且国内大部分企业在过去几十年发展的过程中，存在着严重的”买办思维“，某想就是一个非常典型的例子，以至于我国的半导体行业在轻资产领域处于世界第一梯队，重资产领域的整体水平却与西方国家存在着几代的”代差“，这也是华为拥有海思这样世界顶级的芯片设计企业，却在老美的芯片围堵打压政策下，企业发展陷入困境的根本原因。

在国家的号召下，国内掀起了”中国芯“的浪潮，中科院等科研机构根据”卡脖子清单“成立了对应的科研攻关小组，优质的科技企业跑步进入半导体领域，成立半导体科研企业。据相关数据显示，在过去的两年里，国内新增的半导体企业超过了10万家，并且都有建树。

“中国芯”的发展之所以未能实现跨越式发展，只要还是受限于光刻机，然而，光刻机是全人类智慧的结晶，尤其是EUV光刻机，需要世界上几千家顶级的半导体企业通力合作，才能制造出来，所以，我们很难在短时间内实现高端芯片的国产化。对于这种情况，我们的科研人员选择了两条腿走路，一边加快传统半导体设备、材料的研制工作，一边加快新型芯片的开发，并且取得了耀眼的成绩，极大地刺痛了老美敏感的神经。

近日，据国内媒体报道，中科院正式宣布了一个关于”中国芯“的好消息，中科院微电子所成功突破非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管的关键技术！

据业内人士透露，三维集成技术能够极大地提升硅片上晶体管的集成度，而非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）是实现高密度三维集成的最佳候选沟道材料。

众所周知，芯片的体积是非常小的，而要想提升芯片的性能，就必须对晶体管进行瘦身，提升晶体管在硅片上的集成度，这也是芯片制造企业不断研发先进芯片制程工艺的原因。

随着芯片制程工艺技术的不断更新迭代，传统芯片的发展已经触摸到摩尔定律的天花板，若想进一步提升芯片的性能，满足电子产品对高性能芯片的需求，就必须开发新型的芯片技术。

中科院成功攻克非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管关键技术，在美科技界引起了广泛关注与讨论，多家美媒在第一时间进行了报道，并发出感慨：中国科学家不睡觉吗？居然用短短几年的时间，走完了西方科学家几十年才走完的路，并且处于领先地位。

对此，笔者想说的是，并非中国科学家不睡觉，只因中国科学家的头脑太聪明，只要不是神发明的技术，中国科学家都可以突破！希望老美能够真正认识到中国科学家的能力，停止挑衅中企的行为，放弃对中企的打压，让中企与美企进行紧密的合作，携手推动人类文明的进步，否则，老美只能是人类文明进步道路上的绊脚石，最终被扔进臭水沟里！